(责任编辑:宋政 HN002)
二是破除准入壁垒。推进基础设施竞争性领域向经营主体公平开放,完善民营企业参与国家重大项目建设长效机制,营造公开透明便利的市场准入环境。
大家知道,芯片工艺28nm,指的是什么东西是28nm么?
其实,很早之前,这个XX纳米,指的是芯片晶体管的栅极长度(gate length),即晶体管中源极和漏极之间的距离,这个长度是多少,就指芯片的工艺是多少。
后来,芯片厂就琢磨,既然栅极长度代表的芯片工艺,那就是想方设法缩短这个长度,工艺不就提升了么?
于是在1994前,300nm前时,芯片工艺和栅级长度基本是一致的。
但从300nm开始,到28nm左右时,栅极长度,其实是小于芯片工艺的,就是因为大家不断的想办法去缩短栅极长度去了。
但到了28nm时,这个栅级长度又没法不断的缩小了,所以从28nm开始后,栅级长度,又大于芯片工艺了。
于是在28nm之后,芯片厂们,又用了另外一个办法,那就是等效工艺。
即哪怕我的芯片制造工艺,没什么变化,但只要我通过工艺改进,或结构改进,让性能提升了,或功耗降低了之类的,我也一样认为是工艺进步了。
特别是到14nm之下时,这个等效工艺就越来越厉害了,因为三星、台积电、intel们的工艺,已经是没有特别的对应关系了。
三星说这个工艺是5nm,而英特尔可能认为三星的5nm,连自己的10nm工艺都不如,台积电则认为三星的5nm,还不如自己的7nm,已经是没法各芯片制造厂之间横向比较了。
不信大家看看这个最为明显的指标,晶体管密度,就可以看到,从10nm开始后,三家厂商的相同工艺,对应的晶体管密度,是完全是不一样的。
也就是说,三星的3nm,未必比台积电5nm强,也未必比intel的7nm更强,就看大家怎么看了。
后来,英特尔看到台积电、三星的工艺命名如果激进,都不得不将自己的芯片工艺改名,将10nm改成intel7,7nm改成intel4,也是迎合这种等效工艺法,和三星、intel的对应一致,不显得自己落后。
这也意味着,真正到了7nm之下时,到底是5nm,还是3nm,还是2nm,其实并没有那么重要,只要你的技术有一定改进,让性能提升,让功耗降低,让晶体管密度提升,那么就可以认为是工艺升级了。
这对于中国芯片产业而言,就是大大的利好了,毕竟没有EUV,进入7nm之下很困难。
但是,因为等效工艺的存在,那就是就算我的是7nm工艺,但通过晶体管的结构改进,让性能提升了,让晶体管密度提升了,也一样可以等效于5nm,甚至3nm……
甚至我们通过材料改进股市杠杆资金,明明只是7nm工艺制造的,也许比3nnm更强。所以说,大家别只盯着什么5nm、3nm,更要理解这背后的意义。
芯片台积电intel工艺晶体管发布于:湖南省声明:该文观点仅代表作者本人,搜狐号系信息发布平台,搜狐仅提供信息存储空间服务。